إلكترونيات القدرة وأشباه الموصلات

محاكاة الترانزستور كمفتاح إلكتروني ومضخم تيار (NPN BJT)

استخدم تيار قاعدة منطقي صغير جداً (0.43mA) للتحكم في تشغيل وإطفاء حمل مجمع عالي الجهد (9V LED) عبر ترانزستور NPN.

السرعة
تيار قاعدة صغير جداً (0.43mA) عبر مقاومة 10kΩ يتحكم بتشغيل تيار مجمع أكبر بـ 50 ضعفاً لإضاءة الـ LED الأزرق! افتح وأغلق مفتاح القاعدة لتجربة القطع والإشباع.
● CH1: CH1
● CH2: CH2

الشرح الهندسي والنموذج الرياضي للدائرة

Ic = β × Ib (Active), Vce(sat) ≈ 0.08 V (Saturation)

يعمل ترانزستور الوصلة ثنائي القطبية (NPN BJT) كصمام تيار إلكتروني تحكمه معادلات إبرز-مول الفيزيائية بدقة في المحاكي. عند فتح مفتاح القاعدة ينعدم تيار القاعدة (Ib = 0) ويدخل الترانزستور منطقة القطع (Cutoff) فينطفئ الحمل. وعند إغلاق مفتاح التحكم (5V) يمر تيار قاعدة ضئيل (0.43mA) عبر مقاومة 10kΩ فيدفع الترانزستور إلى الإشباع التام (Vce ≈ 0.1V) لتشغيل الحمل بكفاءة.

خطوات التجربة العملية التفاعلية

  1. اضغط على مفتاح القاعدة (Base IN) للتبديل الفوري بين حالتي القطع (انطفاء) والإشباع (تشغيل كامل).
  2. حدد الترانزستور Q1 لقراءة قيم Vbe وVce وتياري القاعدة والمجمع الحقيقية في اللوحة الجانبية.
  3. ارفع مقاومة القاعدة RB من 10kΩ إلى 220kΩ لنقل الترانزستور من الإشباع إلى المنطقة الفعالة الخطية!

أسئلة هندسية متكررة

ما هي المعادلة الأساسية لتجربة محاكاة الترانزستور كمفتاح إلكتروني ومضخم تيار (NPN BJT)؟

Ic = β × Ib (Active), Vce(sat) ≈ 0.08 V (Saturation) — يعمل ترانزستور الوصلة ثنائي القطبية (NPN BJT) كصمام تيار إلكتروني تحكمه معادلات إبرز-مول الفيزيائية بدقة في المحاكي. عند فتح مفتاح القاعدة ينعدم تيار القاعدة (Ib = 0) ويدخل الترانزستور منطقة القطع (Cutoff) فينطفئ الحمل. وعند إغلاق مفتاح التحكم (5V) يمر تيار قاعدة ضئيل (0.43mA) عبر مقاومة 10kΩ فيدفع الترانزستور إلى الإشباع التام (Vce ≈ 0.1V) لتشغيل الحمل بكفاءة.

هل يمكنني تعديل قيم العناصر وإضافة أسلاك جديدة في هذه الدائرة؟

نعم! الدائرة أعلاه حية بالكامل؛ اضغط على أي عنصر لتغيير قيمته أو اسحب أسلاكاً وعناصر جديدة من اللوحة الجانبية وشارك تعديلك برابط مباشر.

دوائر إلكترونية تفاعلية ذات صلة